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עבריתA STMicroelectronics declarou recentemente em um comunicado que a STMicroelectronics dobrará o número de pastilhas de carbeto de silício (SiC) compradas da Cree nos próximos anos.Esta notícia atraiu imediatamente a atenção de todos, mas também porque a demanda atual do mercado por chips aumentou.
Esta afirmação é significativa devido ao crescente interesse no uso de diodos de SiC e MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors). Alguns analistas preveem que, em 2025, o mercado chegará a US$ 3 bilhões. Até 2026, os dispositivos GaN (nitreto de gálio) crescerão 50% e o mercado global será de aproximadamente US$ 35,8 bilhões.
Esses diodos e MOSFETs são considerados vitais para as peças automotivas e clientes industriais de rápido crescimento. A STMicroelectronics anunciou recentemente que se tornará fornecedora de produtos eletrônicos para os carregadores de carros elétricos da aliança.
A STMicroelectronics, com sede em Genebra, alcançou US$ 9,6 bilhões em receita em 2018 e tem mais de 100.000 clientes em todo o mundo. Produz vários produtos eletrônicos e semicondutores.
Cree disse que o SiC oferece melhor desempenho, o que é essencial para veículos elétricos e produtos industriais para sistemas solares, armazenamento de energia e UPS. A missão da indústria automotiva é encontrar maior eficiência para veículos elétricos que exigem distâncias maiores e carregamento mais rápido. Para o setor industrial, os módulos SiC permitem o uso de inversores menores, mais leves e econômicos para converter energia de forma mais eficiente.
Acredita-se que o SiC seja mais rápido, mais resistente e mais eficiente que o silício puro. Ele pode suportar maior tensão e temperatura do que o silício.
A diferença entre o carregador GaN e o carregador comum
GaN é chamado de material semicondutor de terceira geração. Comparado ao silício, seu desempenho é dobrado e é mais adequado para dispositivos de alta potência do que o silício, com menor volume e maior densidade de potência. A frequência dos chips GaN é muito maior que a do silício, o que reduz efetivamente o volume dos transformadores internos e outros componentes. Ao mesmo tempo, o excelente desempenho de dissipação de calor também permite que o layout dos componentes internos seja mais preciso, o que finalmente resolve perfeitamente a contradição entre taxa de carregamento e portabilidade.
Uma vez operacional, sem dúvida estimulará a compra do consumidor, para os fornecedores de peças automotivas é uma tecnologia inovadora, melhorar a qualidade do produto, suficiente para permitir que eles superem seus concorrentes para o carregador USB também é um salto de qualidade.
Esta afirmação é significativa devido ao crescente interesse no uso de diodos de SiC e MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors). Alguns analistas preveem que, em 2025, o mercado chegará a US$ 3 bilhões. Até 2026, os dispositivos GaN (nitreto de gálio) crescerão 50% e o mercado global será de aproximadamente US$ 35,8 bilhões.
Esses diodos e MOSFETs são considerados vitais para as peças automotivas e clientes industriais de rápido crescimento. A STMicroelectronics anunciou recentemente que se tornará fornecedora de produtos eletrônicos para os carregadores de carros elétricos da aliança.
A STMicroelectronics, com sede em Genebra, alcançou US$ 9,6 bilhões em receita em 2018 e tem mais de 100.000 clientes em todo o mundo. Produz vários produtos eletrônicos e semicondutores.
Cree disse que o SiC oferece melhor desempenho, o que é essencial para veículos elétricos e produtos industriais para sistemas solares, armazenamento de energia e UPS. A missão da indústria automotiva é encontrar maior eficiência para veículos elétricos que exigem distâncias maiores e carregamento mais rápido. Para o setor industrial, os módulos SiC permitem o uso de inversores menores, mais leves e econômicos para converter energia de forma mais eficiente.
Acredita-se que o SiC seja mais rápido, mais resistente e mais eficiente que o silício puro. Ele pode suportar maior tensão e temperatura do que o silício.
A diferença entre o carregador GaN e o carregador comum
O nitreto de gálio é uma substância inorgânica com a fórmula química GaN, que é um composto de nitrogênio e gálio. É um semicondutor bandgap direto e tem sido comumente usado em diodos emissores de luz desde 1990. Este composto tem uma estrutura semelhante à wurtzita e alta dureza. A diferença de energia do nitreto de gálio é muito ampla, 3,4 elétron-volts, que pode ser usada em componentes optoeletrônicos de alta potência e alta velocidade. Por exemplo, o nitreto de gálio pode ser usado em diodos de laser violeta e pode ser usado em lasers de estado sólido bombeados por semicondutor não lineares (Sob a condição de laser de estado sólido bombeado por diodo), o laser de luz violeta (405 nm) é gerado .
GaNpode suportar uma tensão mais alta do que o silício, por isso tem melhor condutividade. Sob o mesmo volume, o carregador que usa a tecnologia GaN tem maior eficiência de saída do que os carregadores comuns. Comparado com outros semicondutores, o GaN tem força de campo de ruptura muito maior, velocidade de migração de elétrons saturados e condutividade térmica. Isso também mostra que GaNé mais adequado para alta potência e alta potência do que materiais de silício. Dispositivos de potência de frequência.
GaN é chamado de material semicondutor de terceira geração. Comparado ao silício, seu desempenho é dobrado e é mais adequado para dispositivos de alta potência do que o silício, com menor volume e maior densidade de potência. A frequência dos chips GaN é muito maior que a do silício, o que reduz efetivamente o volume dos transformadores internos e outros componentes. Ao mesmo tempo, o excelente desempenho de dissipação de calor também permite que o layout dos componentes internos seja mais preciso, o que finalmente resolve perfeitamente a contradição entre taxa de carregamento e portabilidade.
Uma vez operacional, sem dúvida estimulará a compra do consumidor, para os fornecedores de peças automotivas é uma tecnologia inovadora, melhorar a qualidade do produto, suficiente para permitir que eles superem seus concorrentes para o carregador USB também é um salto de qualidade.
