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עבריתSTMicroelectronics a récemment déclaré dans un communiqué que STMicroelectronics doublerait le nombre de tranches de carbure de silicium (SiC) achetées à Cree au cours des prochaines années.Cette nouvelle a immédiatement attiré l'attention de tous, mais aussi parce que la demande actuelle du marché pour les puces a augmenté.
Cette déclaration est importante en raison de l'intérêt croissant pour l'utilisation des diodes SiC et des MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors). Certains analystes prédisent que d'ici 2025, le marché atteindra 3 milliards de dollars. D'ici 2026, les dispositifs GaN (nitrure de gallium) connaîtront une croissance de 50 % et le marché mondial atteindra environ 35,8 milliards de dollars américains.
Ces diodes et MOSFET sont considérés comme vitaux pour les pièces automobiles à croissance rapide et les clients industriels. STMicroelectronics a récemment déclaré qu'il deviendrait un fournisseur de produits électroniques pour les chargeurs de voitures électriques de l'alliance.
STMicroelectronics, dont le siège est à Genève, a réalisé un chiffre d'affaires de 9,6 milliards de dollars en 2018 et compte plus de 100 000 clients dans le monde. Elle fabrique divers produits électroniques et semi-conducteurs.
Cree a déclaré que le SiC offre de meilleures performances, ce qui est essentiel pour les véhicules électriques et les produits industriels pour les systèmes solaires, de stockage d'énergie et UPS. La mission de l'industrie automobile est de trouver une plus grande efficacité pour les véhicules électriques qui nécessitent de plus longues distances et une charge plus rapide. Pour le secteur industriel, les modules SiC permettent l'utilisation d'onduleurs plus petits, plus légers et plus économiques pour convertir l'énergie plus efficacement.
On pense que le SiC est plus rapide, plus résistant et plus efficace que le silicium pur. Il peut supporter une tension et une température plus élevées que le silicium.
La différence entre le chargeur GaN et le chargeur ordinaire
GaN est appelé le matériau semi-conducteur de troisième génération. Par rapport au silicium, ses performances sont doublées et il convient mieux aux appareils à haute puissance que le silicium, avec un volume plus petit et une densité de puissance plus élevée. La fréquence des puces GaN est beaucoup plus élevée que celle du silicium, ce qui réduit efficacement le volume des transformateurs internes et des autres composants. Dans le même temps, les excellentes performances de dissipation thermique permettent également une disposition plus précise des composants internes, ce qui résout enfin parfaitement la contradiction entre taux de charge et portabilité.
Une fois opérationnel, il stimulera sans aucun doute l'achat des consommateurs, pour les équipementiers automobiles c'est une technologie de rupture, améliorer la qualité des produits, suffisante pour leur permettre de dépasser leurs concurrents car le chargeur USB est aussi un saut qualitatif.
Cette déclaration est importante en raison de l'intérêt croissant pour l'utilisation des diodes SiC et des MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors). Certains analystes prédisent que d'ici 2025, le marché atteindra 3 milliards de dollars. D'ici 2026, les dispositifs GaN (nitrure de gallium) connaîtront une croissance de 50 % et le marché mondial atteindra environ 35,8 milliards de dollars américains.
Ces diodes et MOSFET sont considérés comme vitaux pour les pièces automobiles à croissance rapide et les clients industriels. STMicroelectronics a récemment déclaré qu'il deviendrait un fournisseur de produits électroniques pour les chargeurs de voitures électriques de l'alliance.
STMicroelectronics, dont le siège est à Genève, a réalisé un chiffre d'affaires de 9,6 milliards de dollars en 2018 et compte plus de 100 000 clients dans le monde. Elle fabrique divers produits électroniques et semi-conducteurs.
Cree a déclaré que le SiC offre de meilleures performances, ce qui est essentiel pour les véhicules électriques et les produits industriels pour les systèmes solaires, de stockage d'énergie et UPS. La mission de l'industrie automobile est de trouver une plus grande efficacité pour les véhicules électriques qui nécessitent de plus longues distances et une charge plus rapide. Pour le secteur industriel, les modules SiC permettent l'utilisation d'onduleurs plus petits, plus légers et plus économiques pour convertir l'énergie plus efficacement.
On pense que le SiC est plus rapide, plus résistant et plus efficace que le silicium pur. Il peut supporter une tension et une température plus élevées que le silicium.
La différence entre le chargeur GaN et le chargeur ordinaire
Le nitrure de gallium est une substance inorganique de formule chimique GaN, qui est un composé d'azote et de gallium. C'est un semi-conducteur à bande interdite directe et il est couramment utilisé dans les diodes électroluminescentes depuis 1990. Ce composé a une structure de type wurtzite et une dureté élevée. L'écart énergétique du nitrure de gallium est très large, 3,4 électron-volts, ce qui peut être utilisé dans des composants optoélectroniques haute puissance et haute vitesse. Par exemple, le nitrure de gallium peut être utilisé dans les diodes laser violettes et peut être utilisé dans les lasers à semi-conducteurs non linéaires pompés par semi-conducteur (dans les conditions d'un laser à semi-conducteurs pompé par diode), un laser à lumière violette (405 nm) est généré .
GaNpeut supporter une tension plus élevée que le silicium, il a donc une meilleure conductivité. Sous le même volume, le chargeur utilisant la technologie GaN a une efficacité de sortie supérieure à celle des chargeurs ordinaires. Comparé à d'autres semi-conducteurs, le GaN a une intensité de champ de claquage, une vitesse de migration des électrons saturés et une conductivité thermique beaucoup plus élevées. Cela montre également que GaNest plus adapté aux hautes puissances et aux hautes puissances que les matériaux en silicium. Appareils de puissance de fréquence.
GaN est appelé le matériau semi-conducteur de troisième génération. Par rapport au silicium, ses performances sont doublées et il convient mieux aux appareils à haute puissance que le silicium, avec un volume plus petit et une densité de puissance plus élevée. La fréquence des puces GaN est beaucoup plus élevée que celle du silicium, ce qui réduit efficacement le volume des transformateurs internes et des autres composants. Dans le même temps, les excellentes performances de dissipation thermique permettent également une disposition plus précise des composants internes, ce qui résout enfin parfaitement la contradiction entre taux de charge et portabilité.
Une fois opérationnel, il stimulera sans aucun doute l'achat des consommateurs, pour les équipementiers automobiles c'est une technologie de rupture, améliorer la qualité des produits, suffisante pour leur permettre de dépasser leurs concurrents car le chargeur USB est aussi un saut qualitatif.
