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עבריתSTMicroelectronics gab kürzlich in einer Erklärung bekannt, dass STMicroelectronics die Anzahl der von Cree gekauften Siliziumkarbid (SiC)-Wafer in den nächsten Jahren verdoppeln wird.Diese Nachricht hat sofort alle Aufmerksamkeit auf sich gezogen, aber auch, weil die aktuelle Marktnachfrage nach Chips gestiegen ist.
Diese Aussage ist aufgrund des wachsenden Interesses an der Verwendung von SiC-Dioden und MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) von Bedeutung. Einige Analysten sagen voraus, dass der Markt bis 2025 3 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Bis 2026 werden GaN-Geräte (Galliumnitrid) um 50 % wachsen, und der globale Markt wird etwa 35,8 Milliarden US-Dollar umfassen.
Diese Dioden und MOSFETs gelten als entscheidend für die schnell wachsenden Automobilteile und Industriekunden. STMicroelectronics gab kürzlich bekannt, dass es ein Lieferant von elektronischen Produkten für die Elektroauto-Ladegeräte der Allianz werden wird.
STMicroelectronics mit Hauptsitz in Genf erzielte 2018 einen Umsatz von 9,6 Milliarden US-Dollar und hat weltweit mehr als 100.000 Kunden. Es produziert verschiedene elektronische Produkte und Halbleiter.
Laut Cree bietet SiC eine bessere Leistung, was für Elektrofahrzeuge und Industrieprodukte für Solar-, Energiespeicher- und USV-Systeme unerlässlich ist. Die Mission der Automobilindustrie besteht darin, eine höhere Effizienz für Elektrofahrzeuge zu finden, die längere Strecken und schnelleres Laden erfordern. Für den industriellen Bereich ermöglichen SiC-Module den Einsatz kleinerer, leichterer und kostengünstigerer Wechselrichter, um Energie effizienter umzuwandeln.
SiC gilt als schneller, zäher und effizienter als reines Silizium. Es kann einer höheren Spannung und Temperatur standhalten als Silizium.
Der Unterschied zwischen GaN-Ladegerät und gewöhnlichem Ladegerät
GaN wird als Halbleitermaterial der dritten Generation bezeichnet. Im Vergleich zu Silizium ist seine Leistung verdoppelt und es eignet sich besser für Hochleistungsgeräte als Silizium, mit kleinerem Volumen und höherer Leistungsdichte. Die Frequenz von GaN-Chips ist viel höher als die von Silizium, wodurch das Volumen von internen Transformatoren und anderen Komponenten effektiv reduziert wird. Gleichzeitig ermöglicht die hervorragende Wärmeableitungsleistung auch ein präziseres Layout der internen Komponenten, was den Widerspruch zwischen Ladegeschwindigkeit und Portabilität endlich perfekt löst.
Sobald es betriebsbereit ist, wird es zweifellos den Kauf der Verbraucher anregen, denn die Automobilzulieferer sind eine bahnbrechende Technologie, die die Produktqualität verbessert und ausreicht, um ihre Konkurrenten zu übertreffen, denn das USB-Ladegerät ist auch ein Qualitätssprung.
Diese Aussage ist aufgrund des wachsenden Interesses an der Verwendung von SiC-Dioden und MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) von Bedeutung. Einige Analysten sagen voraus, dass der Markt bis 2025 3 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Bis 2026 werden GaN-Geräte (Galliumnitrid) um 50 % wachsen, und der globale Markt wird etwa 35,8 Milliarden US-Dollar umfassen.
Diese Dioden und MOSFETs gelten als entscheidend für die schnell wachsenden Automobilteile und Industriekunden. STMicroelectronics gab kürzlich bekannt, dass es ein Lieferant von elektronischen Produkten für die Elektroauto-Ladegeräte der Allianz werden wird.
STMicroelectronics mit Hauptsitz in Genf erzielte 2018 einen Umsatz von 9,6 Milliarden US-Dollar und hat weltweit mehr als 100.000 Kunden. Es produziert verschiedene elektronische Produkte und Halbleiter.
Laut Cree bietet SiC eine bessere Leistung, was für Elektrofahrzeuge und Industrieprodukte für Solar-, Energiespeicher- und USV-Systeme unerlässlich ist. Die Mission der Automobilindustrie besteht darin, eine höhere Effizienz für Elektrofahrzeuge zu finden, die längere Strecken und schnelleres Laden erfordern. Für den industriellen Bereich ermöglichen SiC-Module den Einsatz kleinerer, leichterer und kostengünstigerer Wechselrichter, um Energie effizienter umzuwandeln.
SiC gilt als schneller, zäher und effizienter als reines Silizium. Es kann einer höheren Spannung und Temperatur standhalten als Silizium.
Der Unterschied zwischen GaN-Ladegerät und gewöhnlichem Ladegerät
Galliumnitrid ist eine anorganische Substanz mit der chemischen Formel GaN, die eine Verbindung aus Stickstoff und Gallium ist. Es ist ein Halbleiter mit direkter Bandlücke und wird seit 1990 häufig in Leuchtdioden verwendet. Diese Verbindung hat eine Wurtzit-ähnliche Struktur und eine hohe Härte. Die Energielücke von Galliumnitrid ist sehr groß, 3,4 Elektronenvolt, was in optoelektronischen Hochleistungskomponenten mit hoher Geschwindigkeit verwendet werden kann. Beispielsweise kann Galliumnitrid in violetten Laserdioden verwendet werden und kann in nichtlinearen halbleitergepumpten Festkörperlasern verwendet werden (unter der Bedingung eines diodengepumpten Festkörperlasers), wird ein violetter Laser (405 nm) erzeugt .
GaN kann einer höheren Spannung standhalten als Silizium, daher hat es eine bessere Leitfähigkeit. Bei gleichem Volumen hat das Ladegerät mit GaN-Technologie eine höhere Ausgangseffizienz als herkömmliche Ladegeräte. Verglichen mit anderen Halbleitern hat GaN eine viel höhere Durchschlagsfeldstärke, gesättigte Elektronenmigrationsgeschwindigkeit und Wärmeleitfähigkeit. Dies zeigt auch, dass GaN ist besser geeignet für hohe Leistung und hohe Leistung als Siliziummaterialien. Frequenzleistungsgeräte.
GaN wird als Halbleitermaterial der dritten Generation bezeichnet. Im Vergleich zu Silizium ist seine Leistung verdoppelt und es eignet sich besser für Hochleistungsgeräte als Silizium, mit kleinerem Volumen und höherer Leistungsdichte. Die Frequenz von GaN-Chips ist viel höher als die von Silizium, wodurch das Volumen von internen Transformatoren und anderen Komponenten effektiv reduziert wird. Gleichzeitig ermöglicht die hervorragende Wärmeableitungsleistung auch ein präziseres Layout der internen Komponenten, was den Widerspruch zwischen Ladegeschwindigkeit und Portabilität endlich perfekt löst.
Sobald es betriebsbereit ist, wird es zweifellos den Kauf der Verbraucher anregen, denn die Automobilzulieferer sind eine bahnbrechende Technologie, die die Produktqualität verbessert und ausreicht, um ihre Konkurrenten zu übertreffen, denn das USB-Ladegerät ist auch ein Qualitätssprung.
