关于汽车电子的重要声明

2021-08-31
意法半导体最近在一份声明中表示,意法半导体将在未来几年内将从 Cree 购买的碳化硅 (SiC) 晶圆数量增加一倍。这一消息立即引起了大家的关注,也是因为目前市场对芯片的需求有所增加。

这一声明意义重大,因为人们对使用 SiC 二极管和 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的兴趣日益浓厚。有分析师预测,到 2025 年,市场规模将达到 30 亿美元。到2026年,氮化镓(氮化镓)器件将增长50%,全球市场规模约为358亿美元。
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这些二极管和 MOSFET 被认为对快速增长的汽车零部件和工业客户至关重要。意法半导体最近表示,将成为联盟电动汽车充电器的电子产品供应商。
总部位于日内瓦的意法半导体在 2018 年实现了 96 亿美元的收入,在全球拥有超过 100,000 家客户。它生产各种电子产品和半导体。

Cree 表示,SiC 提供了更好的性能,这对于电动汽车和太阳能、储能和 UPS 系统的工业产品至关重要。汽车行业的使命是为需要更长距离和更快充电速度的电动汽车找到更高的效率。对于工业领域,SiC 模块允许使用更小、更轻、更具成本效益的逆变器来更有效地转换能量。

碳化硅被认为比纯硅更快、更坚固、更高效。它可以承受比硅更高的电压和温度。


氮化镓充电器与普通充电器的区别

氮化镓是一种无机物质,化学式为氮化镓,是氮和镓的化合物。它是一种直接带隙半导体,自 1990 年以来一直普遍用于发光二极管。这种化合物具有类纤锌矿结构和高硬度。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可用于大功率、高速的光电元件。例如,氮化镓可用于紫激光二极管,可用于非线性半导体泵浦固态激光器(在二极管泵浦固态激光器条件下),产生紫光(405nm)激光.

氮化镓 can withstand a higher voltage than silicon, so it has better conductivity. Under the same volume, the charger using 氮化镓 technology has higher output efficiency than ordinary chargers. Compared with other semiconductors, 氮化镓 has much higher breakdown field strength, saturated electron migration speed and thermal conductivity. This also shows that 氮化镓 比硅材料更适合大功率大功率。频率功率器件。
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氮化镓 is called the third-generation semiconductor material. Compared with silicon, its performance is doubled, and it is more suitable for high-power devices than silicon, with smaller volume and greater power density. The frequency of 氮化镓 chips is much higher than that of silicon, which effectively reduces the volume of internal transformers and other components. At the same time, the excellent heat dissipation performance also enables the layout of internal components to be more precise, which finally perfectly solves the contradiction between charging rate and portability.

一旦投入运营,无疑会刺激消费者购买,对于汽车零部件供应商来说是技术上的突破,产品品质的提升,足以让他们超越竞争对手,对于USB充电器来说也是一次品质的飞跃。